机译:使用Gaas pHEmT的宽带混合单端和差分LNa设计以及与内部Inp pHEmT的LNa设计的比较
机译:设计具有GaAs PHEMT的MMIC LNA
机译:基于InP的83nm低噪声InAlAs / InGaAs PHEMT的设计与实现
机译:使用干式嵌入式PHEMT的高性能X波段MMIC LNA
机译:宽带的低泄漏InGaAs / Inalas PHEMTS(300MHz至2GHz)LNA
机译:可制造60GHz CMOS LNA的设计技术。
机译:半合成方法导致8-戊基内宁蛋白和6-戊基内宁蛋白:使用实验设计优化Xanthohumol的微波辅助去甲基化
机译:使用InGaas / Inalas / Inp pHEmT的sKa低于0.6 dB NF低功率差分至单端mmIC LNa设计
机译:在BCl(3)基化学中的III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分:Inp,InGaas,InGaasp,Inas和allnas;应用表面科学